型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STM32F303CBT6 | ST/意法 |
23+ |
20000 |
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STM32F303VBT6 | 32位MCU |
ST/意法 |
23+ |
18500 |
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STM32F302RBT6 | 32位MCU |
ST/意法 |
23+ |
15600 |
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AR0135CS2M00SUEA0-DPBR | 视觉、图像传感器 |
ONSEMI/安森美 |
23+ |
20000 |
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AR0230CSSC00SUEA0-DRBR | 工控元件 |
ONSEMI/安森美 |
23+ |
8600 |
||||
SPC563M64L7COAR | 功率三极管 |
ST/意法 |
23+ |
7200 |
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AR0135CS2C00SUEA0-DPBR | 视觉、图像传感器 |
ONSEMI/安森美 |
23+ |
6800 |
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AR0141CS2M00SUEA0-DPBR | 视觉、图像传感器 |
ONSEMI/安森美 |
23+ |
4700 |
||||
AR0237SRSH12SHRA0-DR | ONSEMI/安森美 |
23+ |
2700 |
|||||
FFB20UP20STM | 整流二极管 |
ONSEMI/安森美 |
23+ |
50000 |
||||
FFSP1065A | ONSEMI/安森美 |
23+ |
7200 |
|||||
PCFFS10120AF | ONSEMI/安森美 |
23+ |
2300 |
|||||
SQJ912DEP-T1_GE3 | VISHAY/威世 |
23+ |
10800 |
|||||
SQ4917EY-T1_GE3 | 功率二极管 |
VISHAY/威世 |
23+ |
29300 |
||||
SQ2337ES-T1_GE3 | 功率三极管 |
VISHAY/威世 |
23+ |
167400 |
||||
SQJA82EP-T1_GE3 | MOS(场效应管) |
VISHAY/威世 |
23+ |
200000 |
||||
SQD40P10-40L_GE3 | MOS(场效应管) |
VISHAY/威世 |
23+ |
50000 |
||||
FGH75T65SQDT-F155 | IGBT管 |
ONSEMI/安森美 |
23+ |
50000 |
||||
SQJ459EP-T1_GE3 | MOS(场效应管) |
VISHAY/威世 |
23+ |
50000 |
||||
SQ2348ES-T1_GE3 | MOS(场效应管) |
VISHAY/威世 |
23+ |
20000 |
||||
SQJ138EP-T1_GE3 | VISHAY/威世 |
23+ |
20000 |
|||||
SQ2315ES-T1_GE3 | MOS(场效应管) |
VISHAY/威世 |
23+ |
20000 |
||||
SQJA86EP-T1_GE3 | 中高压MOS管 |
VISHAY/威世 |
23+ |
16200 |
||||
NCS214RSQT2G | ONSEMI/安森美 |
23+ |
18200 |
|||||
SQ2398ES-T1_GE3 | 其他被动元件 |
VISHAY/威世 |
23+ |
8100 |
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SQJ147ELP-T1_GE3 | VISHAY/威世 |
23+ |
8100 |
|||||
SQJ182EP-T1_GE3 | VISHAY/威世 |
23+ |
8100 |
|||||
FSQ0370RNA | 其他被动元件 |
ONSEMI/安森美 |
23+ |
5400 |
||||
SQ3418EV-T1_GE3 | 中高压MOS管 |
VISHAY/威世 |
23+ |
2700 |
||||
NCV8715SQ50T2G | 电源IC |
ONSEMI/安森美 |
23+ |
2700 |