型号/型号规格 | 分类 | 品牌 | 封装 | 批号 | 数量 | 询价 | ||
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SQJA82EP-T1_GE3 | MOS(场效应管) |
VISHAY/威世 |
23+ |
200000 |
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SQD40P10-40L_GE3 | MOS(场效应管) |
VISHAY/威世 |
23+ |
50000 |
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FGH75T65SQDT-F155 | IGBT管 |
ONSEMI/安森美 |
23+ |
50000 |
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SQJ459EP-T1_GE3 | MOS(场效应管) |
VISHAY/威世 |
23+ |
50000 |
||||
SQ2348ES-T1_GE3 | MOS(场效应管) |
VISHAY/威世 |
23+ |
20000 |
||||
SQJ138EP-T1_GE3 | VISHAY/威世 |
23+ |
20000 |
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SQ2315ES-T1_GE3 | MOS(场效应管) |
VISHAY/威世 |
23+ |
20000 |
||||
SQJA86EP-T1_GE3 | 中高压MOS管 |
VISHAY/威世 |
23+ |
16200 |
||||
NCS214RSQT2G | ONSEMI/安森美 |
23+ |
18200 |
|||||
SQ2398ES-T1_GE3 | 其他被动元件 |
VISHAY/威世 |
23+ |
8100 |
||||
SQJ147ELP-T1_GE3 | VISHAY/威世 |
23+ |
8100 |
|||||
SQJ182EP-T1_GE3 | VISHAY/威世 |
23+ |
8100 |
|||||
FSQ0370RNA | 其他被动元件 |
ONSEMI/安森美 |
23+ |
5400 |
||||
SQ3418EV-T1_GE3 | 中高压MOS管 |
VISHAY/威世 |
23+ |
2700 |
||||
NCV8715SQ50T2G | 电源IC |
ONSEMI/安森美 |
23+ |
2700 |
||||
FSQ110 | 工控元件 |
ONSEMI/安森美 |
23+ |
2700 |
||||
NCP698SQ18T1G | 工控元件 |
ONSEMI/安森美 |
23+ |
2700 |
||||
NCV210RSQT2G | 其他三极管 |
ONSEMI/安森美 |
23+ |
2700 |
||||
SQD50P04-09L_GE3 | 其他连接器 |
VISHAY/威世 |
23+ |
1800 |
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STM32F030C8T6 | ST/意法 |
23+ |
200000 |
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STM32F103VGT6 | 32位MCU |
ST/意法 |
23+ |
50000 |
||||
STM32F072CBU6TR | 32位MCU |
ST/意法 |
23+ |
50000 |
||||
STM32F103CBU6TR | 32位MCU |
ST/意法 |
23+ |
50000 |
||||
STM32F407ZET6 | 32位MCU |
ST/意法 |
23+ |
50000 |
||||
STM32F429IGT6 | 32位MCU |
ST/意法 |
23+ |
20000 |
||||
STM32F103CBT6 | 32位MCU |
ST/意法 |
23+ |
20000 |
||||
STM32F205RET6 | 32位MCU |
ST/意法 |
23+ |
20000 |
||||
STM32F407ZGT6 | 32位MCU |
ST/意法 |
23+ |
20000 |
||||
STM32F103CBU6 | ST/意法 |
23+ |
14000 |
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STM32F437IIT6 | 32位MCU |
ST/意法 |
23+ |
13000 |